GT50JR22
GT50JR22 N-канальные IGBT Быстродействующий IGBT: tf = 0,05 мкс (тип.) (IC = 50 A) FWD: trr = 0,35 мкс (тип.) (IF = 15 A)(5) Низкое напряжение насыщения: VCE(sat) = 1,55 В (тип.) (IC = 50 A)(6) Высокая температура перехода: Tj = 175°C (макс.
GT50JR22 Области применения
Предназначены для применения в частотно-резонансных преобразователях частоты.
GT50JR22 datasheet на русском
| Характеристики | Символ | Значение | Единица |
| Напряжение коллектор-эмиттер |
Vces
|
600 | В |
| Напряжение затвор-эмиттер |
Vges |
±25
|
В |
| Ток коллектора (постоянный ток) ( Tc = 25°С) | Ic | 50 | А |
| Ток коллектора (постоянный ток) ( Tc = 100°С) | Ic | 44 | А |
| Ток коллектора (1 мс) | Icp | 100 | А |
| Прямой ток диода (пост. ток) | If | 40 | А |
| Прямой ток диода (100 мкс) |
Ifp
|
100 | А |
| Рассеиваемая мощность коллектора ( Tc = 25°С) | Pc | 230 | Вт |
| Рассеиваемая мощность коллектора ( Tc = 100°С) | Pc | 115 | Вт |
| Температура перехода (Note 1) |
Tj
|
175 | °С |
| Температура хранения |
Tstg
|
-55 to 175 | °С |
| Момент затяжки | TOR | 0.8 |
N·m
|
Техническая документация
| GT50JR22 купить |
|
