GT50JR22

0 224

GT50JR22  N-канальные IGBT Быстродействующий IGBT: tf = 0,05 мкс (тип.) (IC = 50 A) FWD: trr = 0,35 мкс (тип.) (IF = 15 A)(5) Низкое напряжение насыщения: VCE(sat) = 1,55 В (тип.) (IC = 50 A)(6) Высокая температура перехода: Tj = 175°C (макс.

GT50JR22 Области применения

Предназначены для применения в частотно-резонансных преобразователях частоты.

GT50JR22 datasheet на русском

Характеристики Символ Значение Единица 
Напряжение коллектор-эмиттер
Vces
600 В
Напряжение затвор-эмиттер

Vges

±25
В
Ток коллектора (постоянный ток) ( Tc = 25°С) Ic 50 А
Ток коллектора (постоянный ток) ( Tc = 100°С) Ic 44 А
Ток коллектора (1 мс) Icp 100 А
Прямой ток диода (пост. ток) If 40 А
Прямой ток диода (100 мкс)
Ifp
100 А
Рассеиваемая мощность коллектора ( Tc = 25°С) Pc 230 Вт
Рассеиваемая мощность коллектора ( Tc = 100°С) Pc 115 Вт
Температура перехода (Note 1)
Tj
175 °С
Температура хранения
Tstg
-55 to 175 °С
Момент затяжки TOR 0.8
N·m

Техническая документация

GT50JR22

GT50JR22 datasheet

GT50JR22 купить

Другие транзисторы 

GT50JR22
Новый Улучшенный Cтартовый набор для Arduino

Оставьте ответ

Ваш электронный адрес не будет опубликован.