Транзистор гт320б

0 169

Транзистор гт320б p-n-p, 11В, 150мА, 200мВт, h21э 50…160, 80МГц, Тmax-55…+70, биполярный, германий. Для усилителей и генераторов высокой частоты, импульсных устройств.

Транзистор гт320б характеристики

Параметр Обозначение Значение Единица
Структура p-n-p
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Uкэо max 11 В
Максимально постоянный ток коллектора Iк max 150 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Рк max 200 мВт
Статический коэффициент передачи тока h21э 50..160
Граничная частота коэффициента передачи fгр 80 МГц
Коэффициент шума Кш дБ
Расположение выводов 1-2-3 ЭКБ
гт320б
Транзисторы из Китая
гт320б
Габариты, расположение выводов.

Транзистор гт320б

технические характеристики

Оставьте ответ

Ваш электронный адрес не будет опубликован.