Транзистор мп35

0 192

Транзистор мп35 германиевый сплавной n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным (МП35, МП37, МП37А, МП37Б, МП38, МП38А) и нормированным на частоте 1 кГц (МП36) коэффицентом шума.

Предназначен для усиления сигналов низкой частоты.

мп35 характеристики транзистора

Структура n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ мВт max,P**K, и max
150 
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max МГц ≥0.5*
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR  проб., U**КЭО проб. В   15 
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  В — 
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max мА 20(150*) 
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO мкА 5 В ≤30 
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э 5 В; 1мА 13…125
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э  пФ 35 В — 
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас Ом — 
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых  Дб, Ом, Вт ≤220*
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) пс

Техническая документация

tranzistor-mp35

 

 

PDF транзистора мп35

Другие транзисторы


Транзистор мп35 германиевый сплавной n-p-n усилительный низкочастотный с ненормированным (МП35, МП37, МП37А, МП37Б, МП38, МП38А) и нормированным на частоте 1 кГц (МП36) коэффицентом шума.

Предназначен для усиления сигналов низкой частоты.

мп35 характеристики транзистора
Структура — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ мВт max,P**K, и max
— 150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max МГц — ≥0.5*
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR  проб., U**КЭО проб. В  — 15
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  В — —
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max мА — 20(150*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO мкА 5 В ≤30
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э 5 В; 1мА 13…125
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э  пФ 35 В —
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас Ом — —
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых  Дб, Ом, Вт — ≤220*
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) пс — —

Оставьте ответ

Ваш электронный адрес не будет опубликован.